韓國次世代非揮性記憶體發展現況及策略

　　次世代非揮發性記憶體具備比現有Flash的非揮發性、SRAM的高速運算、DRAM的高集積性等性能更強，且耗電更低的產品特性，因此，被視為取代現有各種記憶體的理想技術。

　　2004年8月啟動次世代非揮發性記憶體元件開發事業，計畫以8年的時間，由政府投入350億圜的研究經費，目標是開發出0.1Tera Bit級以上的、NFGM、PoRAM、ReRAM等次世代非揮發性記憶體元件技術，以確保其在元件、製程、設計方面的技術，進一步佔有40%以上的全球記憶體市場。

　　此外，韓國半導體業者在次世代記憶體方面亦投注相當大的心力，三星電子目前已開發出64Mb FeRAM及512Mb PRAM試製品，並計畫於2007年與2008年分別完成1Gb PRAM、2Gb PRAM的開發。Hynix則已開發出32Mb FeRAM，並計劃在2007年完成RFID用FReAM的開發。有鑑於此，本書乃針對韓國政府及企業在次世代記憶體的推動現況進行探討，希望藉此掌握其政策方向及技術發展趨勢，以供我國政府及業者之參考。

第一章　次世代記憶體技術發展概況

　一.技術概要
　二.技術重要性
　三.國外技術開發動向
　四.韓國技術開發動向
　五.未來展望

第二章　韓國次世代記憶體推動現況

　一.研發目標
　二.推動策略
　三.推動體系
　四.商用化推動策略及計畫
　五.現階段推動成果
　六.預期推動成果

第三章　韓國主要次世代記憶體技術發展動向

　一.PRAM
　二.NFGM
　三.PoRAM
　四.ReRAM

第四章　主要廠商相關技術發展動向

　一.三星電子
　二.Hynix
　三.其他

第五章　目前遭遇瓶頸

　一.研究經費不足
　二.細部根源技術缺乏
　三.研究人力不足